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BSP76 E6327
6.017
BSP76 E6327 数据手册 (11 页)
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BSP76 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
42.0 V
额定电流
1.40 A
封装
TO-261-4
输出接口数
1 Output
输出电流
1.4 A
功耗
3800 mW
输出电流(Max)
1.4 A
输出电流(Min)
1.4 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
3800 mW

BSP76 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

BSP76 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte

BSP76 数据手册

Infineon(英飞凌)
HITFET™ 智能低侧电源开关,InfineonHITFET™ 汽车智能低电压端开关系列内置 ESD、过温、短路和过载状况保护。 HITFET 系列具有高达 480 毫欧的开关接通电阻,且可标出 RDSon。诊断或闩锁和重启保护 易于嵌入式更换 ### 电源开关,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP762T  智能电源开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 7A, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP76E6433HUMA1  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 7.5A, SOT-223-4
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP76 E6433  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 7.5A, SOT-223-4
Infineon(英飞凌)
200mOhm通态电阻,单通道智能低边功率开关
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
电源开关 IC - 配电 HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 1.4A
Infineon(英飞凌)
智能功率高边开关 Smart Power High-Side-Switch
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