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BSP88H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

描述:

INFINEON BSP88H6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSP88H6327XTSA1 数据手册 (8 页)

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BSP88H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

额定功率

1.8 W

通道数

1 Channel

针脚数

4 Position

漏源极电阻

4 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.8 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

240 V

漏源击穿电压

240 V

连续漏极电流(Ids)

0.35A

上升时间

3.5 ns

输入电容值(Ciss)

95pF @25V(Vds)

下降时间

18.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP88H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP88H6327XTSA1 符合标准

BSP88H6327XTSA1 概述

BSP88H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.58 MByte

BSP88H6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSP88H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSP88H6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSP88H6327 数据手册

BSP88 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSP88 H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1 V

BSP88H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

240V,6000mΩ,0.35A,N沟道小信号MOSFET

BSP88H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSP88H6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 240 V, 4 ohm, 10 V, 1 V

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