BSR13 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 800mA/0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN switching transistors FEATURES High current (max. 800 mA) Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS Switching and linear applications 描述与应用| NPN开关晶体管 特点 高电流（最大800毫安） 低电压（最大40 V）。 应用 开关和线性应用