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BSS126 H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS126 H6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSS126 H6327 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSS126 H6327 数据手册 (9 页)

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BSS126 H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

280 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

9.7 ns

输入电容值(Ciss)

28pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

115 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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BSS126 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.10 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS126 H6327 符合标准

BSS126 H6327 海关信息

BSS126 H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.29 MByte

BSS126 H6327 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BSS126 H6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.1 MByte

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