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BSS138N-E6327
0.198
BSS138N-E6327 数据手册 (9 页)
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BSS138N-E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
230 mA
封装
SOT-23-3
极性
N-CH
功耗
360mW (Ta)
输入电容
41.0 pF
栅电荷
1.46 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
230 mA
上升时间
3.00 ns
输入电容值(Ciss)
41pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
360 mW
耗散功率(Max)
360mW (Ta)

BSS138N-E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS138N-E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.44 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.08 MByte

BSS138 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS138  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V
CJ(长电科技)
N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V
SLKOR(韩国萨科微)
类型:N沟道 连续漏极电流(Id)(25°C 时):220mA 漏源电压(Vdss):50V 导通电阻:3.5Ω 功率(Ta=25°C):400mW
Good-Ark Electronics(固锝)
Zetex
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
Infineon(英飞凌)
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS
Vishay Semiconductor(威世)
Siemens Semiconductor(西门子)
BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1
National Semiconductor(美国国家半导体)
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