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BSS169H6327XT
1.137
BSS169H6327XT 数据手册 (10 页)
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BSS169H6327XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
12 Ω
功耗
360 mW
阈值电压
2.9 V
漏源击穿电压
100 V
上升时间
2.7 ns
下降时间
27 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSS169H6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm

BSS169H6327XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.48 MByte

BSS169H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
100V,0.09A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSS169 H6327 PG-SOT-23-3
Infineon(英飞凌)
N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V
Infineon(英飞凌)
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