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BSS205NH6327XT
0.06
BSS205NH6327XT 数据手册 (10 页)
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BSS205NH6327XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
40 mΩ
极性
N-CH
功耗
500 mW
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.5A
上升时间
2.9 ns
下降时间
2.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BSS205NH6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.1 mm

BSS205NH6327XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
58 页 / 2.04 MByte

BSS205NH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
20V,2.5A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS205NH6327XTSA1, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
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