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BSS223PW L6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSS223PW L6327 数据手册 (88 页)

封装尺寸在87 页

典型应用电路图在9 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 87 页

原理图在10 页 53 页

BSS223PW L6327 数据手册 (88 页)

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BSS223PW L6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

功耗

250mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

56pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250mW (Ta)

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BSS223PW L6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS223PW L6327 符合标准

BSS223PW L6327 概述

BSS223PW L6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

88 页 / 0.95 MByte

BSS223PW L6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.07 MByte

BSS223PW L6327 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.12 MByte

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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

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