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BSS8402DW-7
0.035
BSS8402DW-7 数据手册 (7 页)
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BSS8402DW-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电流
115 mA
封装
SOT-363
漏源极电阻
3.20 Ω, 10.0 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
200 mW
漏源极电压(Vds)
60V, 50V
漏源击穿电压
±70.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
115 mA, -130 mA
输入电容值(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BSS8402DW-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS8402DW-7 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.24 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.22 MByte
Diodes(美台)
17 页 / 0.06 MByte

BSS8402 数据手册

Diodes(美台)
BSS8402DW 系列 60 V 13.5 Ohm N和P 沟道 增强模式 MosFet - SOT-363
Diodes(美台)
P沟道 50V 130mA
Diodes Zetex(捷特科)
N/P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes(美台)
P沟道 50V 130mA
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
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