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BSZ040N04LSG
0.392
BSZ040N04LSG 数据手册 (9 页)
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BSZ040N04LSG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TSDSON EP
功耗
2.1 W
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
4.8 ns
输入电容值(Ciss)
3800pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
69 W
下降时间
5.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2100 mW

BSZ040N04LSG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSZ040N04LSG 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.31 MByte

BSZ040N04 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSZ036NE2LS 系列 40 V 4 mOhm N沟道 OptiMOSTM3 功率 晶体管- PG-TSDSON-8
Infineon(英飞凌)
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
40V,5.6mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
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