￥ 0.603

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

INFINEON BSZ150N10LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSZ150N10LS3GATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8

额定功率

63 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.013 Ω

极性

N-Channel

功耗

63 W

阈值电压

1.7 V

输入电容

1900 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

4.6 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

3.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

查看数据手册 >

BSZ150N10LS3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSZ150N10LS3GATMA1 符合标准

BSZ150N10LS3GATMA1 概述

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.47 MByte

BSZ150N10LS3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ150N10LS3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

BSZ150N10LS3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ150N10LS3 数据手册

BSZ150N10LS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ150N10LS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.7 V 新

BSZ150N10LS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSZ150N10LS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 100V 40A

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号