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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > BSZ42DN25NS3G Datasheet 文档
BSZ42DN25NS3G
0.512

BSZ42DN25NS3G 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TSDSON
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
5A

BSZ42DN25NS3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

BSZ42DN25NS3G 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.5 MByte

BSZ42DN25NS3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ42DN25NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSZ42DN25NS3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
OptiMOSTM3功率三极管 OptiMOSTM3 Power-Transistor
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