BTD2040N3 数据手册 - Cystech Electronics（全宇昕）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 150~450 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Low Vce（sat） NPN Epitaxial Planar Transistor Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), Pb-free lead plating and halogen-free package 描述与应用| 低VCE（sat）的NPN外延平面晶体管 特点 是专为通用低频功率放大器应用BTD2040N3S。 低VCE（饱和）， 无铅引脚电镀和无卤素封装