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BTS282Z E3180A
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BTS282Z E3180A 数据手册 (14 页)
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BTS282Z E3180A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
TO-263-8
功耗
300 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
49 V
上升时间
37 ns
输入电容值(Ciss)
4800pF @25V(Vds)
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

BTS282Z E3180A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
高度
4.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

BTS282Z E3180A 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.36 MByte

BTS282ZE3180 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282ZE3180AATMA2, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 D2PAK (TO-263)封装
Infineon(英飞凌)
Infineon TEMPFET™ MOSFET,带热控开关Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流晶体管的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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