BTS282Z E3230

￥ 2.238

BTS282Z E3230 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-7

描述:

Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET. MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BTS282Z E3230 数据手册 (14 页)

封装尺寸在11 页 12 页

BTS282Z E3230 数据手册 (14 页)

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BTS282Z E3230 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

7 Pin

额定电压(DC)

49.0 V

额定电流

1.70 A

封装

TO-220-7

通道数

1 Channel

漏源极电阻

6.5 mΩ

功耗

300 W

输入电容

4.80 nF

栅电荷

232 nC

漏源极电压(Vds)

49 V

漏源击穿电压

49 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

4800pF @25V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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BTS282Z E3230 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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BTS282Z E3230 符合标准

BTS282Z E3230 海关信息

BTS282Z E3230 概述

BTS282Z E3230 数据手册

BTS282Z E3230 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.37 MByte

BTS282Z E3230 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

BTS282Z E3230 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 0.29 MByte

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速度TEMPFET Speed TEMPFET

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Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET. MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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