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BUH50G
4.272
BUH50G 数据手册 (9 页)
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BUH50G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-220-3
极性
NPN
功耗
50 W
增益频宽积
4 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
500 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
5 @2A, 5V
额定功率(Max)
50 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
50 W

BUH50G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.82 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

BUH50G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.38 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.24 MByte

BUH50 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管4安培800伏50瓦 POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
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