￥ 2.606

BUH51G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUH51G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在10 页

BUH51G 数据手册 (10 页)

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BUH51G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

800 V

额定电流

3.00 A

封装

TO-126-3

极性

NPN

功耗

50 W

增益频宽积

23 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

500 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

8 @1A, 1V

额定功率(Max)

50 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

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BUH51G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

长度

7.74 mm

宽度

2.66 mm

高度

11.04 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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BUH51G 符合标准

BUH51G 海关信息

BUH51G 概述

BUH51G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.18 MByte

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