BUJ100,412

￥ 0.119

BUJ100,412 数据手册 - We En Semiconductor

制造商:

We En Semiconductor

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-92-3

描述:

BUJ100 系列 400 V 1 A NPN 硅扩散功率晶体管 - TO-92-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUJ100,412 数据手册 (11 页)

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BUJ100,412 数据手册 (11 页)

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BUJ100,412 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

极性

NPN

功耗

2 W

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

集电极最大允许电流

1A

最小电流放大倍数

9 @750mA, 5V

最大电流放大倍数

31

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

BUJ100,412 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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BUJ100,412 符合标准

BUJ100,412 概述

BUJ100,412 数据手册

BUJ100,412 数据手册

We En Semiconductor

11 页 / 0.21 MByte

BUJ100,412 其他数据使用手册

We En Semiconductor

22 页 / 0.32 MByte

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