￥ 0.419

BUJ100LR,412 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUJ100LR,412 数据手册 (12 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在8 页

BUJ100LR,412 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BUJ100LR,412 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-226-3

击穿电压(集电极-发射极)

400 V

最小电流放大倍数

10 @400mA, 5V

额定功率(Max)

2.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2.1 W

查看数据手册 >

BUJ100LR,412 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

4.8 mm

宽度

4.2 mm

高度

5.2 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BUJ100LR,412 符合标准

BUJ100LR,412 数据手册

NXP（恩智浦）

12 页 / 0.12 MByte

BUJ100LR,412 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

22 页 / 0.32 MByte

BUJ100 数据手册

Philips（飞利浦）

BUJ100LR,412 数据手册

We En Semiconductor

高电压晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia

BUJ100LR 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP BUJ100LR 单晶体管双极, NPN, 400 V, 2.1 W, 1 A, 7.5 hFE

BUJ100LR,412 数据手册

NXP（恩智浦）

NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

BUJ100,412 数据手册

We En Semiconductor

BUJ100 系列 400 V 1 A NPN 硅扩散功率晶体管 - TO-92-3

BUJ100,412 数据手册

NXP（恩智浦）

BUJ100LR,126 数据手册

NXP（恩智浦）

BUJ100,126 数据手册

We En Semiconductor

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT

BUJ100LR,126 数据手册

We En Semiconductor

BUJ100,126 数据手册

NXP（恩智浦）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号