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BUK7620-55A,118
0.448
BUK7620-55A,118 数据手册 (14 页)
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BUK7620-55A,118 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
118W (Tc)
漏源极电压(Vds)
55 V
上升时间
74 ns
输入电容值(Ciss)
1592pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
118 W
下降时间
40 ns
耗散功率(Max)
118W (Tc)

BUK7620-55A,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

BUK7620-55A,118 数据手册

NXP(恩智浦)
14 页 / 0.43 MByte
NXP(恩智浦)
13 页 / 0.31 MByte

BUK762055 数据手册

Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
的TrenchMOS晶体管标准水平FET TrenchMOS transistor Standard level FET
NXP(恩智浦)
在使用的TrenchMOS技术,具有非常低的导通状态电阻的塑料封装的N沟道增强型场效应功率晶体管。 N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance.
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 55 V, 0.017 ohm, 10 V, 3 V
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
NXP(恩智浦)
Philips(飞利浦)
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