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Datasheet 搜索 > MOS管 > NXP(恩智浦) > BUK9675-100A,118 Datasheet 文档
BUK9675-100A,118
0.975
BUK9675-100A,118 数据手册 (9 页)
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BUK9675-100A,118 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
99W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
23A
上升时间
120 ns
输入电容值(Ciss)
1704pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
98 W
下降时间
57 ns
耗散功率(Max)
99W (Tc)

BUK9675-100A,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

BUK9675-100A,118 数据手册

NXP(恩智浦)
9 页 / 0.08 MByte
NXP(恩智浦)
206 页 / 0.21 MByte

BUK9675100 数据手册

Nexperia(安世)
N沟道 VDS=100V VGS=±15V ID=23A P=99W
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
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