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Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > BUK98150-55A,135 Datasheet 文档
BUK98150-55A,135
2.68
BUK98150-55A,135 数据手册 (15 页)
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BUK98150-55A,135 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
137 mΩ
功耗
8 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
上升时间
57 ns
输入电容值(Ciss)
240pF @25V(Vds)
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
8000 mW

BUK98150-55A,135 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
高度
1.7 mm

BUK98150-55A,135 数据手册

Nexperia(安世)
15 页 / 0.4 MByte
Nexperia(安世)
14 页 / 0.28 MByte

BUK9815055 数据手册

NXP(恩智浦)
的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET
Nexperia(安世)
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=55V VGS=±15V ID=5.5A P=8W
NXP(恩智浦)
NXP  BUK98150-55A  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 55 V, 137 mohm, 10 V, 1.5 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 55 V, 0.137 ohm, 10 V, 1.5 V
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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