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BUK9Y8R5-80E 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-669

描述:

NXP BUK9Y8R5-80E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 0.0058 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BUK9Y8R5-80E 数据手册 (13 页)

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BUK9Y8R5-80E 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-669

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.0058 Ω

极性

N-Channel

功耗

238 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

80 V

连续漏极电流(Ids)

100A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

BUK9Y8R5-80E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

BUK9Y8R5-80E 符合标准

BUK9Y8R5-80E 数据手册

BUK9Y8R5-80E 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

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