BUV27

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BUV27 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BUV27 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

BUV27 数据手册 (4 页)

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BUV27 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

极性

NPN

功耗

70 W

击穿电压(集电极-发射极)

120 V

集电极最大允许电流

12A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

查看数据手册 >

BUV27 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

长度

10.28 mm

宽度

4.82 mm

高度

9.28 mm

最小包装数量

50

查看数据手册 >

BUV27 符合标准

BUV27 数据手册

BUV27 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.04 MByte

BUV27 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

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