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BUZ100S 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BUZ100S 数据手册 (8 页)

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BUZ100S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

77A

BUZ100S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

BUZ100S 符合标准

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8 页 / 0.1 MByte

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