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BUZ31H3046XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BUZ31H3046XKSA1 数据手册 (10 页)

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BUZ31H3046XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

额定功率

95 W

通道数

1 Channel

漏源极电阻

200 mΩ

极性

N-CH

功耗

95 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

14.5A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

840pF @25V(Vds)

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

95W (Tc)

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BUZ31H3046XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

10.36 mm

宽度

4.52 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BUZ31H3046XKSA1 符合标准

BUZ31H3046XKSA1 概述

BUZ31H3046XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.77 MByte

BUZ31H3046XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.61 MByte

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