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BUZ31L
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BUZ31L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
13.5 A
封装
TO-220-3
功耗
95W (Tc)
输入电容
1.12 nF
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
14.5 A
输入电容值(Ciss)
1600pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
95W (Tc)

BUZ31L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BUZ31L 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.57 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

BUZ31 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BUZ31L H  晶体管, MOSFET, N沟道, 13.5 A, 200 V, 0.16 ohm, 5 V, 1.6 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
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