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BUZ73 H3046
1.406
BUZ73 H3046 数据手册 (19 页)
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BUZ73 H3046 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
400 mΩ
功耗
40 W
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
上升时间
40 nS
输入电容值(Ciss)
530pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
40 W
下降时间
30 nS
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

BUZ73 H3046 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm

BUZ73 H3046 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.62 MByte

BUZ73 数据手册

Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Intersil(英特矽尔)
5.8A , 200V , 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET 5.8A, 200V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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