BYG10G 数据手册 - VISHAY（威世）

●反向电压VrReverse Voltage| 400V \---|--- 平均整流电流IoAverAge Rectified Current| 1.5A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.15V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4μS 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Silicon Mesa SMD Rectifier Low profile package • Ideal for automated placement • Controlled avalanche characteristics • Glass passivated junction • Low reverse current • High surge current capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Solder dip 260 °C, 40 s • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 描述与应用| 硅梅萨整流器薄型SMD封装  •适合自动放置  •控制雪崩特性  •玻璃钝化结  •低反向电流  •高电流能力产生  •会见MSL每1，J-STD-020，LF最大 峰值260℃  •浸焊260°C，40秒  •符合RoHS指令2002/95/EC和 根据WEEE 2002/96/EC