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Datasheet 搜索 > 齐纳二极管 > Diodes(美台) > BZT52C12S-7 Datasheet 文档
BZT52C12S-7
器件3D模型
0.025
BZT52C12S-7 数据手册 (4 页)
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BZT52C12S-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
容差
±5 %
封装
SOD-323-2
额定功率
200 mW
输出电流
≤50.0 mA
正向电压
900mV @10mA
功耗
200 mW
测试电流
5 mA
稳压值
12 V
正向电压(Max)
900mV @10mA
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

BZT52C12S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.7 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃
温度系数
8 mV/℃

BZT52C12S-7 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
3 页 / 0.08 MByte

BZT52C12 数据手册

CJ(长电科技)
BZT52C12 编带
MDD(辰达半导体)
BZT52C12 编带
Diotec Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes
SLKOR(韩国萨科微)
最大功率:500mW 反向漏电流:0.1uA @ 8.0V 稳压值(典型值):12V SOD-123
Multicomp
MULTICOMP  BZT52C12  单管二极管 齐纳, BZT52C系列, 12 V, 410 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
Diodes(美台)
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT52C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-123F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
DC Components
Diodes(美台)
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