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BZT52C2V4S-7
0.025
BZT52C2V4S-7 数据手册 (4 页)
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BZT52C2V4S-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
2.40 V
容差
±8 %
封装
SOD-323
额定功率
200 mW
输出电流
≤50.0 mA
正向电压
900mV @10mA
功耗
200 mW
稳压值
2.4 V
正向电压(Max)
900mV @10mA
额定功率(Max)
200 mW

BZT52C2V4S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BZT52C2V4S-7 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
4 页 / 0.07 MByte

BZT52C2V4 数据手册

Diotec Semiconductor
MDD(辰达半导体)
BZT52C2V4 编带
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT52C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-123F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
SLKOR(韩国萨科微)
最大功率:500mW 反向漏电流:50uA @ 1.0V 稳压值(典型值):2.4V SOD-123
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes
Micro Commercial Components(美微科)
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