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BZT52C6V2S
0.012
BZT52C6V2S 数据手册 (4 页)
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BZT52C6V2S 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOD-123-2
功耗
200 mW
稳压值
6.2 V
稳压电流
5mA

BZT52C6V2S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.8 mm
宽度
1.35 mm
高度
0.97 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
最小包装数量
3000

BZT52C6V2S 数据手册

CJ(长电科技)
4 页 / 0.22 MByte
CJ(长电科技)
4 页 / 0.51 MByte

BZT52C6V2 数据手册

MDD(辰达半导体)
BZT52C6V2 编带
Diotec Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes
SLKOR(韩国萨科微)
额定功率:500mW 反向漏电流:3.0uA 稳压值(典型值):6.2V 封装:SOD-123
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT52C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-123F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
Diodes(美台)
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
Diodes(美台)
Silicon Standard
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
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