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Datasheet 搜索 > 齐纳二极管 > Diodes(美台) > BZT52C6V8S-7 Datasheet 文档
BZT52C6V8S-7
器件3D模型
0.025
BZT52C6V8S-7 数据手册 (4 页)
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BZT52C6V8S-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
6.80 V
容差
±6 %
封装
SOD-323-2
额定功率
200 mW
输出电流
≤45.0 mA
正向电压
900mV @10mA
功耗
200 mW
测试电流
5 mA
稳压值
6.8 V
正向电压(Max)
900mV @10mA
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

BZT52C6V8S-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.7 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃
温度系数
2.85 mV/℃

BZT52C6V8S-7 数据手册

Diodes(美台)
4 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
3 页 / 0.08 MByte

BZT52C6V8 数据手册

CJ(长电科技)
稳压二极管
MDD(辰达半导体)
BZT52C6V8 编带
Diotec Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes
SLKOR(韩国萨科微)
最大功率:500mW 反向漏电流:2.0uA @ 4.0V 稳压值(典型值):6.8V SOD-123
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT52C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-123F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
Diodes(美台)
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 6 %, 2 引脚, 150 °C
Diodes(美台)
Microsemi(美高森美)
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