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BZT52H-C8V2 T/R
器件3D模型
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BZT52H-C8V2 T/R 数据手册 (13 页)
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BZT52H-C8V2 T/R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
8.20 V
封装
SOD-123F
额定功率
1.00 W
功耗
830 mW
稳压值
8.2 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

BZT52H-C8V2 T/R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
温度系数
4.7 mV/k

BZT52H-C8V2 T/R 数据手册

NXP(恩智浦)
13 页 / 0.12 MByte

BZT52HC8V2 数据手册

NXP(恩智浦)
830mW,BZT52H 系列,NXP Semiconductors通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳,SOD-123F ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
齐纳二极管 830mW,BZT52H 系列,Nexperia通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳,SOD-123F### 齐纳二极管,Nexperia
Philips(飞利浦)
Diodes(美台)
Nexperia(安世)
Nexperia BZT52H-C8V2,115 单路 齐纳二极管, 8.7V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装
NXP(恩智浦)
NXP  BZT52H-C8V2,115  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
Nexperia(安世)
Diodes(美台)
稳压二极管 830mW 8.2V Zener AEC-Q101 Qualified
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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