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BZT52H-C9V1T/R
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BZT52H-C9V1T/R 数据手册 (10 页)
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BZT52H-C9V1T/R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
8.10 V
额定功率
1.00 W

BZT52H-C9V1T/R 数据手册

NXP(恩智浦)
10 页 / 0.25 MByte

BZT52HC9V1 数据手册

NXP(恩智浦)
830mW,BZT52H 系列,NXP Semiconductors通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳,SOD-123F ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
齐纳二极管 830mW,BZT52H 系列,Nexperia通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳,SOD-123F### 齐纳二极管,Nexperia
Diodes(美台)
Nexperia(安世)
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
NXP(恩智浦)
NXP  BZT52H-C9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
Nexperia(安世)
Diodes(美台)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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