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Datasheet 搜索 > VISHAY(威世) > BZT55C4V7-GS18 Datasheet 文档
BZT55C4V7-GS18
器件3D模型
0.017
BZT55C4V7-GS18 数据手册 (7 页)
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BZT55C4V7-GS18 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
SOD-80
功耗
500 mW
测试电流
5 mA
稳压值
4.7 V
正向电压(Max)
1.5V @200mA
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BZT55C4V7-GS18 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 175℃
最小包装数量
10000

BZT55C4V7-GS18 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.1 MByte

BZT55C4V7 数据手册

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
Multicomp
MULTICOMP  BZT55C4V7  单管二极管 齐纳, BZT55C系列, 4.7 V, 500 mW, MiniMELF, 2 引脚, 200 °C
Good-Ark Electronics(固锝)
VISHAY(威世)
齐纳二极管 500mW,BZT55 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BZT55C4V7-GS08  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 500 mW, MiniMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C
Vishay Semiconductor(威世)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
500mW,BZT55C 系列,Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳:QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor
VISHAY(威世)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
稳压二极管 QMMELF, 500mW, 5%, Small Signal Zener Diode
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