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C4GAMUD4200AA1J 数据手册 - KEMET Corporation（基美）

制造商:

KEMET Corporation（基美）

分类:

薄膜电容

描述:

C4C/C4G 系列KEMET C4C/C4G 系列聚丙烯薄膜电容器为自修复，具有高波纹电流和低损耗。具有高触点可靠性，这些电容器特别适用于高频应用。这些薄膜电容器特别适用于功率半导体电路，适用于在电子镇流器和电动机应用中抑制或减少不需要的电压峰值。两种系列的合适应用包括阻隔、夹紧和耦合/去耦。金属化聚丙烯缓冲电容器引线长度 40mm ### 轴向 85°C

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符号图

焊盘图

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C4GAMUD4200AA1J 数据手册 (1 页)

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C4GAMUD4200AA1J 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

850 V

额定电压(AC)

450 V

电容

2 µF

等效串联电阻(ESR)

3.1 mΩ

容差

±5 %

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

额定电压

450 VAC

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6 页 / 0.33 MByte

C4GAMUD4200AA1J 产品修订记录

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3 页 / 0.24 MByte

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