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CJ3139KDW-G
0.024
CJ3139KDW-G 数据手册 (5 页)
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CJ3139KDW-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363-6
通道数
2 Channel
漏源极电阻
520 mΩ
功耗
0.15 W
阈值电压
0.35 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
上升时间
5.8 ns
输入电容值(Ciss)
170pF @16V(Vds)
额定功率(Max)
150 mW
下降时间
20.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

CJ3139KDW-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

CJ3139KDW-G 数据手册

Comchip Technology(上华科技)
5 页 / 0.12 MByte

CJ3139 数据手册

CJ(长电科技)
MOS(场效应管)/CJ3139K
CJ(长电科技)
MOS场效应管 CJ3139KW 39K SOT-323
Comchip Technology(上华科技)
2个P沟道 20V 660A
CJ(长电科技)
MOS场效应管 CJ3139K KD SC-105AA(SOT-723) P沟道,-20V,-660mA,520mΩ@-4.5V
CJ(长电科技)
MOS场效应管 CJ3139K 39K SOT-23 P沟道,-20V,-660mA,520mΩ@-4.5V
CJ(长电科技)
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