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CMF20120D
34.528
CMF20120D 数据手册 (8 页)
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CMF20120D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.08 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
1.2 kV
连续漏极电流(Ids)
42A
上升时间
38 ns
输入电容值(Ciss)
1915pF @800V(Vds)
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
135 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
215 W

CMF20120D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 135℃ (TJ)

CMF20120D 数据手册

Wolfspeed
8 页 / 0.77 MByte
Wolfspeed
8 页 / 0.72 MByte
Wolfspeed
6 页 / 2.95 MByte

CMF20120 数据手册

Wolfspeed
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFETWolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。• 增强模式 N 通道 SiC 技术 • 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V • 多个设备易于并行且易于驱动 • 高速切换,具有低接通电阻 • 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管,Wolfspeed
CREE(美国科锐)
VISHAY(威世)
金属膜电阻,工业,精密 Metal Film Resistors, Industrial, Precision
VISHAY(威世)
金属膜电阻 120Ω ±5% 1W
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
金属膜电阻,工业,精密 Metal Film Resistors, Industrial, Precision
Vishay Semiconductor(威世)
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