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CPC5602C
0.699
CPC5602C 数据手册 (3 页)
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CPC5602C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-223
针脚数
3 Position
漏源极电阻
8 Ω
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
350 V
工作温度(Max)
85 ℃

CPC5602C 数据手册

Clare
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Clare
4 页 / 0.21 MByte
Clare
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CPC5602 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
CPC 系列 350 V 5 mA N 沟道 表面贴装 耗尽型 FET - SOT-223
Clare
CLARE  CPC5602C  场效应管, MOSFET, N沟道, 耗尽型, 350V, 8Ω, 5MA, SOT-223-4, 整卷
Clare
N沟道枯竭FET模式 •低电阻为10欧姆•高输入阻抗•低输入和输出泄漏•支持组件LITELINK数据访问安排(DAA)•常开开关•电信•恒流源
IXYS Semiconductor
Littelfuse(力特)
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