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CPV363M4K 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SIP-19

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CPV363M4K 数据手册 (11 页)

封装尺寸在2 页 10 页

CPV363M4K 数据手册 (11 页)

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CPV363M4K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

13 Pin

封装

SIP-19

极性

N-Channel

功耗

36 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

0.74nF @30V

额定功率(Max)

36 W

工作温度(Max)

150 ℃

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CPV363M4K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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CPV363M4K 符合标准

CPV363M4K 数据手册

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