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CQY36N
0.269
CQY36N 数据手册 (5 页)
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CQY36N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
1.30 V
封装
T-3
针脚数
2 Position
正向电压
1.6 V
波长
950 nm
视角
110°
峰值波长
950 nm
功耗
160 W
上升时间
800 ns
测试电流
50 mA
正向电流
100 mA
正向电压(Max)
1.6 V
正向电流(Max)
100 mA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-25 ℃
耗散功率(Max)
160 mW

CQY36N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
颜色
Infrared
高度
2.2 mm
工作温度
-25℃ ~ 85℃

CQY36N 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.09 MByte

CQY36 数据手册

VISHAY(威世)
砷化镓红外发光二极管在微型(T -3/4 )包装 GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  CQY36N  红外发射器, 微型, 55 °, T-3/4 (1.8mm), 50 mA, 1.3 V, 800 ns
Vishay Siliconix
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