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CSD17556Q5BT
2.646
CSD17556Q5BT 数据手册 (13 页)
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CSD17556Q5BT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSON-CLIP
极性
N-CH
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
5400pF @15V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3100 mW

CSD17556Q5BT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

CSD17556Q5BT 数据手册

TI(德州仪器)
13 页 / 0.81 MByte
TI(德州仪器)
12 页 / 0.41 MByte

CSD17556Q5 数据手册

TI(德州仪器)
30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17556Q5B
TI(德州仪器)
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.8mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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