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CSD18504KCS 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18504KCS 数据手册 (14 页)

引脚图在2 页Hot

封装尺寸在11 页

CSD18504KCS 数据手册 (14 页)

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CSD18504KCS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0055 Ω

极性

N-Channel

功耗

93 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

40 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

5.2 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @20V(Vds)

额定功率(Max)

93 W

下降时间

4.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115W (Tc)

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CSD18504KCS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD18504KCS 符合标准

CSD18504KCS 概述

CSD18504KCS 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.21 MByte

CSD18504KCS 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

5 页 / 0.3 MByte

CSD18504KCS 产品修订记录

TI（德州仪器）

7 页 / 0.32 MByte

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