￥ 3.905

CSD18535KTTT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD18535KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 279 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD18535KTTT 数据手册 (13 页)

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封装尺寸在8 页 10 页

CSD18535KTTT 数据手册 (13 页)

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CSD18535KTTT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0016 Ω

极性

N-Channel

功耗

300 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

3 ns

输入电容值(Ciss)

6620pF @30V(Vds)

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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CSD18535KTTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

9.25 mm

高度

4.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD18535KTTT 符合标准

CSD18535KTTT 海关信息

CSD18535KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.4 MByte

CSD18535 数据手册

CSD18535KTT 数据手册

TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、2mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

CSD18535KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD18535KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 279 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 1.9 V 新

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