￥ 2.773

CSD18542KTTT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD18542KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD18542KTTT 数据手册 (13 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 10 页

CSD18542KTTT 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD18542KTTT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0033 Ω

极性

N-Channel

功耗

250 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

3900pF @30V(Vds)

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

查看数据手册 >

CSD18542KTTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

9.25 mm

宽度

10.26 mm

高度

19.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD18542KTTT 符合标准

CSD18542KTTT 海关信息

CSD18542KTTT 概述

CSD18542KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.5 MByte

CSD18542KTTT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.5 MByte

CSD18542 数据手册

CSD18542KCS 数据手册

TI（德州仪器）

CSD18542KCS 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18542KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD18542KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 170 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V 新

CSD18542KTT 数据手册

TI（德州仪器）

60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、4mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号