￥ 0.731

CSD19534Q5AT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

VSON-8

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD19534Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD19534Q5AT 数据手册 (14 页)

封装尺寸在9 页 12 页

CSD19534Q5AT 数据手册 (14 页)

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CSD19534Q5AT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0126 Ω

极性

N-Channel

功耗

63 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

1680pF @50V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.2W (Ta), 63W (Tc)

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CSD19534Q5AT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6 mm

宽度

4.9 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD19534Q5AT 符合标准

CSD19534Q5AT 海关信息

CSD19534Q5AT 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.35 MByte

CSD19534Q5AT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.41 MByte

CSD19534Q5 数据手册

CSD19534Q5A 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19534Q5A

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TI（德州仪器）

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