￥ 0.049

CSD23280F3T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD23280F3T 数据手册 (14 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 10 页 12 页 13 页

CSD23280F3T 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD23280F3T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.097 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

12 V

连续漏极电流(Ids)

1.8A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

234pF @6V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

查看数据手册 >

CSD23280F3T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

0.73 mm

宽度

0.64 mm

高度

0.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

CSD23280F3T 符合标准

CSD23280F3T 海关信息

CSD23280F3T 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 1.06 MByte

CSD23280F3 数据手册

TI（德州仪器）

CSD23280F3 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET

CSD23280F3T 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV 新

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号