￥ 0.879

CSD25480F3T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PICOSTAR-3

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD25480F3T 晶体管, MOSFET, FemtoFET™, P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.11 ohm, -8 V, -950 mV 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD25480F3T 数据手册 (14 页)

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CSD25480F3T 数据手册 (14 页)

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CSD25480F3T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

PICOSTAR-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.11 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

阈值电压

950 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.7A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

155pF @10V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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CSD25480F3T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

0.73 mm

宽度

0.64 mm

高度

0.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD25480F3T 符合标准

CSD25480F3T 海关信息

CSD25480F3T 概述