￥ 1.016

CSD75208W1015T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

UFBGA-6

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015T 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD75208W1015T 数据手册 (15 页)

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CSD75208W1015T 数据手册 (15 页)

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CSD75208W1015T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

UFBGA-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.056 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

750 mW

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

1.6A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

410pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

85 ℃

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CSD75208W1015T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD75208W1015T 符合标准

CSD75208W1015T 数据手册

TI（德州仪器）

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CSD75208W1015 数据手册

TI（德州仪器）

CSD75208W1015，双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD75208W1015T 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD75208W1015T 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.056 ohm, -4.5 V, -800 mV

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